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现在，全面屏手机流行起来，但面板技术面临不少挑战，这给发展带来了障碍，让人感到焦急。接下来，我们来具体了解一下这些情况。

a - Si面板的局限

Si面板的电子迁移率不高，因此每个子像素都需要配备一个独立的栅极驱动线路。这个栅极（Gate IC）的驱动走线在面板两侧的不可显示区域（BM）中，其宽度最多只能达到1毫米。这一尺寸对手机的外观美感有着显著的影响。2017年，市场上这种情况尤为突出，许多早期使用a - Si面板的全面屏手机，边框显得较宽，整体颜值受到很大影响。而且，这种情况在各大厂商的早期产品中普遍存在。

a-Si方案的固有缺陷使得像素的正常运作依赖额外的驱动走线。要控制TFT中每个像素点的开关，必须将栅极电压提升至40V以上。这导致屏幕边框难以进一步缩小，全面屏的视觉美感因而难以达到，也让追求高屏占比的手机制造商们感到颇为棘手。

非主流原因与竞争焦点

选用a-Si全面屏技术是一种权宜之计，主要因为异形切割工艺和COF产能有限。这种方案难以成为市场主流，因为其外观和性能上的不足相当明显。目前，像小米、华为这样的手机制造商并不将其作为主要发展方向，只是偶尔在特定时期进行过尝试。

众多企业正竞相推出高屏占比的手机，力求在手机体积受限的情况下，打造出边框极窄的设计，以增加正面显示区域的占比。以三星、苹果等品牌为例，它们持续走在行业前沿，不断推出新款式。对制造商来说，这无疑是为了增强市场竞争力的重要手段。若自家产品屏幕占比不高，消费者很可能转向其他品牌。

Gate IC难题

消费电子对窄边框的需求日益增加，导致Gate IC占据了面板宝贵的边框空间，成为面板厂商的一大难题。尤其是中低端手机品牌，由于成本限制，只能使用a-Si面板，这使得Gate IC的问题更加明显。因此，手机边框难以进一步缩小，进而影响了整体外观和屏幕占比的提升。

研发期间，面板厂面临Gate IC占用空间过大的难题。尽管投入了大量人力和物力，却仍未找到理想的解决方案。这一挑战限制了全面屏手机在边框设计上的创新，给厂商带来了不小的困扰。

GOA方案利弊

GOA方案在缩小面板两侧的BM区域方面表现突出，这是其显著优点之一。比如，应用了GOA方案的实验机型，其左右边框变得更为狭窄，屏幕占比显著增加。然而，它也存在不足，那就是面板端子部分的结构设计会相对复杂。这样的设计使得生产难度加大，成本上升，次品率也有所提升。因此，面板制造商在采纳此方案时必须谨慎评估。

GOA方案使得窄边框成为可能，然而，面板端子部分的结构复杂，导致制造过程中问题不断。同时，维修起来更加困难，一旦设备出现故障，维修费用也相对较高。这就是厂商不敢广泛采用该方案的一个原因。

COF方案相关问题

卷对卷生产COF需要加热，PI膜的热膨胀系数达到16um/m/C，这比芯片的2.49um/m/C要大，稳定性较差。因此，对设备的精度要求非常高，许多工厂的设备无法满足这一标准。以一些小型面板厂为例，由于设备精度不足，它们难以进行COF方案产品的规模化生产。

受成本与开发进度的制约，各面板制造商推出的全面屏产品，其边框宽度大多在1毫米左右，端子区则在4.5至5毫米之间。若沿用直角设计，模组和元件的安装空间将显不足，同时屏幕的脆弱性也会增加。这一情况限制了COF技术的应用，导致全面屏的设计受到限制，无法自由发挥。

新技术与工艺流程革新

从4月到5月，国内众多模组生产企业开始规划COF技术和异形切割设备的生产，预计到2017年第四季度将实现产能的释放。然而，由于异形切割需求旺盛，众多厂商暂时采用了CNC研磨作为替代方案。对于一些急于推出新产品的中小品牌来说，这种方法可以帮助他们节省时间。

新工艺流程为面板和模组制造商创造了盈利机会。面板制造商为了实现窄边框设计，需优化点胶技术，并采纳GOA方案。COF方案中使用的FPC采用了PI膜材料，并运用了半加成或加成工艺，从而增加了产品的价值。然而，这也增加了生产的复杂性，如何在利润和生产难度之间找到平衡，仍是一个挑战。

大家对未来几年哪种全面屏面板技术将占据市场主导地位有何看法？欢迎在评论区留言讨论。如觉得内容有帮助，请点赞并分享。